Японская компания Toshiba в эти дни объявила о том, что закончила разработку технологии, предназначенной для выпуска микросхем памяти MLC NAND на основе технологических норм 15 нм с плотностью записи до 128 Гбит.

Представители фирмы Toshiba сообщают, что массовое производство новых чипов начнется уже в следующем месяце на фабрике Fab 5 в японском городе Йокаччи, где в настоящее время работают с 19-нанометровым технологическим процессом второго поколения. Для перехода на более тонкий техпроцесс на Fab 5 будет простроена вторая линия, которая и займется выпуском 15-нм образцов MLC NAND.

Благодаря переходу на новые технологические нормы Toshiba удалось получить кристалл с наименьшей площадью в своем классе. Также сообщается об улучшении скоростных показателей новинок, что позволило в 1,3 раза увеличить скорость передачи данных в сравнении с 19-нанометровыми продуктами – до 533 Мбит/с. Скорость записи при этом останется на прежнем уровне.

Также японский гигант сообщает, что в настоящее время ее инженеры работают над адаптацией 15-нм техпроцесса для производства чипов типа TLC NAND. Считается, что Toshiba может начать их производство уже в июне. Кроме этого, компания готовится представить контроллер для встраиваемой твердотельной памяти NAND, который найдет свое применение в составе таких электронных устройств как смартфоны, планшеты, а также в обычных SSD-накопителях.